Kaufpreis IXFN55N50 Ixys Corporation Deutschland

Marke	Ixys Corporation
Produkt	IXFN55N50
Beschreibung	Diskrete Halbleitermodule
Interner Code	IMP4309833
Technische Spezifikation	55 Amps 500V 0.08 Rd s RoHS-konform Anzahl der Kanäle: 1 Channel Transistorpolung: N-Channel Abfallzeit: 45 ns Id - Drain-Gleichstrom: 55 A Pd - Verlustleistung: 625 W Produkt-Typ: Discrete Semiconductor Modules Rds On - Drain-Source-Widerstand: 90 mOhms Anstiegszeit: 60 ns Verpackung ab Werk: 10 Unterkategorie: Discrete Semiconductor Modules Handelsname: HyperFET Regelabschaltverzögerungszeit: 120 ns Typische Einschaltverzögerungszeit: 45 ns Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 500 V

Ixys Corporation Marken mit der IXFN55N50 Artikelnr. Diskrete Halbleitermodule wurden mit hochem Technologie Produziert. Deutschland Kaufpreis IXFN55N50 - Ixys Corporation.

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